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在冶炼炉内，碳化硅晶体发育有下列规律:
一、晶体大小由炉芯表面层向外逐渐减小，在炉芯表面附近可看到数毫米的晶体，而在外层(无定形物)的晶体尺寸不超过数十微米。
二、外层晶体的排列无一定方向，也无链状结构，愈靠近炉芯，晶体愈有一定的“链状”结构，晶体沿径向联结成清晰的放射状链条，这些链条在炉芯表面附近结合得更紧密。
三、在“链状”结构中，晶体方向是一定的，晶体的六角片总是顺着链条方向，垂直于炉的轴向，而晶体的C轴与链条方向垂直。
四、不同部位晶体的发育是不均衡的。炉芯上部及侧部晶体比下部大，下部往往得到细结晶及无定形物，这在冶炼绿碳化硅时极为明显。
五、在靠近炉芯的碳化硅层中，有时出现空腔，空腔一般是由炉下部通向侧部及上部，使结晶筒内表面凸凹不平。空腔内面呈“熔化”状态，有时长着大片晶体。