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碳化硅的化学性质中最重要的是它的抗氧化性能。碳化硅在空气中加热到1000摄氏度以上时，仅在其表面氧化，生成一层二氧化硅薄膜。这样使得碳化硅有较好的抗氧化性能。1300摄氏度时薄膜层二氧化碳开始有方石英析出，晶型的转变引起薄膜层开裂，从而氧化速度有所增加。在1500-1600摄氏度时，由于sio2层的增厚，限制了氧化作用，这使得碳化硅能在1600摄氏度高温下长期稳定使用。超过1627摄氏度时，将发生化学反应：2SiO2+SiC转化成3SiO+CO.
以及SiO2的蒸发，使SiO2保护层受到破坏，这时碳化硅的氧化作用又会迅速进行。因此1627摄氏度是碳化硅的最高工作温度。
在以水蒸气、二氧化碳氧化剂时，情况类似于在空气中氧化。但在1627摄氏度下，H2O和CO2对SiC的氧化速度要小些。